[发明专利]电流比较读电路在审
| 申请号： | 201910357973.3 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110097914A | 公开（公告）日： | 2019-08-06 |
| 发明（设计）人： | 詹泽红 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于嵌入式非易失性存储器的电流比较读电路，包括第一MOS和第二MOS的第一连接端和第四连接端连接电源,第一MOS和第二MOS的第二连接端分别连接第三MOS和第四MOS的第二连接端，第三MOS第一连接端连接存储单元，存储单元另一端连接地，第四MOS第一连接端连接恒流源，恒流源另一端连接地，第三MOS和第四MOS的第四连接端连接地，第一MOS和第二MOS的第三连接端作为该电流比较读电路的第一信号连接端,第三MOS和第四MOS的第三连接端作为该电流比较读电路的第二信号连接端。本发明在不增大面积的条件下，能降低eflash IP读出功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 连接端 电流比较 读电路 存储单元 一端连接 恒流源 嵌入式非易失性存储器 第二信号 连接电源 功耗 读出 | ||
【主权项】：
1.一种电流比较读电路，用于嵌入式非易失性存储器，其特征在于，包括：第一～第四MOS(M1‑M4)、存储单元(bitcell)和恒流源(CCS)；第一MOS(M1)和第二MOS(M2)的第一连接端和第四连接端连接电源(VDDL),第一MOS(M1)和第二MOS(M2)的第二连接端分别连接第三MOS(M3)和第四MOS(M4)的第二连接端，第三MOS(M3)的第一连接端连接存储单元(bitcell)，存储单元(bitcell)另一端连接地(VSS)，第四MOS(M4)的第一连接端连接恒流源(CCS)，恒流源(CCS)另一端连接地(VSS)，第三MOS(M3)和第四MOS(M4)的第四连接端连接地(VSS)，第一MOS(M1)和第二MOS(M2)的第三连接端作为该电流比较读电路的第一信号连接端(A),第三MOS(M3)和第四MOS(M4)的第三连接端作为该电流比较读电路的第二信号连接端(B)。
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