[发明专利]半导体器件组和基板在审
| 申请号： | 201910358103.8 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110085532A | 公开（公告）日： | 2019-08-02 |
| 发明（设计）人： | 王阳阳;汤茂亮;刘少东 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66;H01L25/07 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件组和基板。公开了一种用于测试半导体器件的匹配的半导体器件组，其包括：多个半导体器件，其包括分别在第一方向上延伸的至少一个半导体器件，以及分别在与第一方向不同的第二方向上延伸的至少一个半导体器件，其中各半导体器件包括控制电极以及第一和第二非控制电极；第一公共电极，各半导体器件共享所述第一公共电极并分别具有所述第一公共电极的一部分作为其控制电极；以及第二公共电极，各半导体器件共享所述第二公共电极并分别具有所述第二公共电极的一部分作为其第一非控制电极。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 公共电极 控制电极 测试半导体器件 共享 延伸 基板 匹配 | ||
【主权项】：
1.一种用于测试半导体器件的匹配的半导体器件组，其特征在于，包括：多个半导体器件，其包括分别在第一方向上延伸的至少一个半导体器件，以及分别在与第一方向不同的第二方向上延伸的至少一个半导体器件，其中各半导体器件包括控制电极以及第一和第二非控制电极；第一公共电极，各半导体器件共享所述第一公共电极并分别具有所述第一公共电极的一部分作为其控制电极；以及第二公共电极，各半导体器件共享所述第二公共电极并分别具有所述第二公共电极的一部分作为其第一非控制电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
