[发明专利]半导体装置、其制造方法和其操作方法有效
| 申请号： | 201910361426.2 | 申请日： | 2019-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN110456850B | 公开（公告）日： | 2022-09-02 |
| 发明（设计）人： | 裴俊汉;成昌庆;辛钟信 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G05F1/575 | 分类号： | G05F1/575 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种半导体装置包括：电压产生器，其产生参考电压；第一参考电流产生器，其接收参考电压并产生参考电流；非易失性存储器，其存储校准码；第一偏置电流产生器，其对参考电流进行镜像处理，以产生第一偏置电流；以及第二偏置电流产生器，其根据非易失性存储器的校准码调整参考电流，以产生第二偏置电流。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 制造 方法 操作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：/n电压产生器，其产生参考电压；/n第一参考电流产生器，其接收所述参考电压并产生参考电流；/n非易失性存储器，其存储校准码；/n第一偏置电流产生器，其对所述参考电流进行镜像处理，以产生第一偏置电流；以及/n第二偏置电流产生器，其根据所述非易失性存储器的所述校准码调整所述参考电流，以产生第二偏置电流。/n
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