[发明专利]3D存储器件及其制造方法

摘要

本申请公开了一种3D存储器件及其制造方法。该3D存储器件包括半导体衬底；栅叠层结构，位于半导体衬底上，包括交替堆叠的栅极导体层与层间绝缘层；多个沟道柱，贯穿栅叠层结构，并与半导体衬底接触；栅极隔离结构，贯穿栅叠层结构以划分出多个存储区域，包括形成于栅线隙中的导电通道和隔离层，导电通道与半导体衬底接触，隔离层将栅极导体层与导电通道彼此隔离，栅线隙在预定区域断开形成缺口，以使位于不同存储区域的栅极导体层在缺口处电相连，其中，栅线隙包括靠近缺口的端部、延伸部以及用于连通端部与延伸部的连接部，连接部靠近端部的通道尺寸小于靠近延伸部的通道尺寸，以限定端部的腔体体积，从而提高了隔离层厚度的均匀性。

主权项

1.一种3D存储器件，其特征在于，包括：半导体衬底；栅叠层结构，位于所述半导体衬底上，包括交替堆叠的栅极导体层与层间绝缘层；多个沟道柱，贯穿所述栅叠层结构，并与所述半导体衬底接触；栅极隔离结构，贯穿所述栅叠层结构以划分出多个存储区域，包括形成于栅线隙中的导电通道和隔离层，所述导电通道与所述半导体衬底接触，所述隔离层将所述栅极导体层与所述导电通道彼此隔离，所述栅线隙在预定区域断开形成缺口，以使位于不同所述存储区域的所述栅极导体层在所述缺口处电相连，其中，所述栅线隙包括靠近所述缺口的端部、延伸部以及用于连通所述端部与所述延伸部的连接部，所述连接部靠近所述端部的通道尺寸小于靠近所述延伸部的通道尺寸，以限定所述端部的腔体体积。