[发明专利]器件层互连在审
| 申请号： | 201910374596.4 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110581132A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | M·博尔;M·科布林斯基;M·内伯斯 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 邬少俊;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本文描述的是与器件层互连相关联的集成电路(IC)结构、器件和方法。例如，IC管芯可以包括包含沿着半导体鳍状物的晶体管阵列的器件层、以及晶体管阵列中的器件层互连，其中器件层互连与晶体管阵列的多个不同的源极/漏极区电接触。 | ||
| 搜索关键词： | 器件层 晶体管阵列 互连 半导体鳍状物 源极/漏极区 电接触 集成电路 关联 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路(IC)管芯，包括：/n包括晶体管阵列的器件层；/n所述器件层的背面上的背面互连；/n所述器件层中的器件层互连，电耦合到所述背面互连，其中，所述器件层互连与所述器件层互连的第一表面处的第一源极/漏极区和所述器件层互连的相对的第二表面处的第二源极/漏极区导电接触。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
