[发明专利]绝缘子污秽状态评价方法及装置有效
| 申请号： | 201910375604.7 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110044966B | 公开（公告）日： | 2022-02-18 |
| 发明（设计）人： | 梅红伟;邵仕超;王黎明 | 申请（专利权）人： | 清华大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | G01N27/00 | 分类号： | G01N27/00;G01R31/12 |
| 代理公司： | 深圳市鼎言知识产权代理有限公司 44311 | 代理人： | 曾昭毅;郑海威 |
| 地址： | 518055 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种绝缘子污秽状态评价方法，所述绝缘子污秽状态评价方法用于确定所述绝缘子的闪络电压值，从而评估所述绝缘子的污秽状态。本发明提供的所述绝缘子污秽状态评价方法操作便捷且便于现场直接测量。本发明还提供一种绝缘子污秽状态评价装置。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘子 污秽 状态 评价 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘子污秽状态评价方法，其特征在于，包括以下步骤：分别对所述绝缘子的上表面以及所述绝缘子的下表面进行分区；提供一探头，并通过所述探头依次测量所述绝缘子上表面以及所述绝缘子下表面每一所述分区的局部闪络电压值；根据所述绝缘子上表面每一所述分区的所述局部闪络电压值、所述绝缘子下表面每一所述分区的所述局部闪络电压值以及所述探头的闪络电压特性曲线得到所述上表面每一所述分区以及所述下表面每一所述分区对应的局部等值盐密；根据所述绝缘子上表面所有所述分区的所述局部等值盐密计算所述绝缘子上表面的等值盐密，根据所述绝缘子下表面所有所述分区的所述局部等值盐密计算所述绝缘子下表面的等值盐密；结合所述绝缘子上表面的形状系数、所述绝缘子下表面的形状系数、所述上表面的等值盐密以及所述下表面的等值盐密计算所述绝缘子的总体等值盐密；根据所述绝缘子的所述总体等值盐密以及所述绝缘子的闪络电压特性曲线得到所述绝缘子的闪络电压值；以及根据单片所述绝缘子的闪络电压值，通过线性运算，获得整串所述绝缘子的闪络电压值，从而评价整串所述绝缘子的污秽状态。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学深圳研究生院，未经清华大学深圳研究生院许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910375604.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
