[发明专利]一种高性能二氧化硅-二氧化锡氢气传感器有效
| 申请号： | 201910376316.3 | 申请日： | 2019-05-07 |
| 公开（公告）号： | CN110161085B | 公开（公告）日： | 2021-04-20 |
| 发明（设计）人： | 张覃轶;姚志伟 | 申请（专利权）人： | 武汉理工大学 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人： | 乔宇 |
| 地址： | 430070 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种高性能二氧化硅‑二氧化锡氢气传感器。通过丝网印刷技术将所制备的介孔SiO |
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| 搜索关键词： | 一种 性能 二氧化硅 氧化 氢气 传感器 | ||
【主权项】：
1.一种高性能SiO2‑SnO2氢气传感器，其特征在于：包括SnO2气体传感器和印压在SnO2气体传感器上的介孔SiO2改性层，所述的介孔SiO2改性层厚度为7‑23μm。
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