[发明专利]一种超低K介质层及其制备方法有效
| 申请号： | 201910378715.3 | 申请日： | 2019-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110085512B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 贡祎琪 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区自*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种超低K介质层及其制备方法，上述制备方法包括：在衬底上形成超低K介质层；在上述超低K介质层上表面形成薄氧层；以及采用氧气对形成上述薄氧层后的上述超低K介质层执行等离子体净化；其中上述等离子体净化持续超过2秒钟。根据本发明所提供的制备方法所制备的超低K介质层表面平整，克服了超低K介质层原有的凸起缺陷，改进了超低K介质层的性能。本发明所提供的超低K介质层的制备方法流程简单，与现有的超低K介质层的制备工艺兼容，具有可操作性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 介质 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种超低K介质层的制备方法，所述制备方法包括：在衬底上形成超低K介质层；在所述超低K介质层上表面形成薄氧层；以及采用氧气对形成所述薄氧层后的所述超低K介质层执行等离子体净化；其中所述等离子体净化持续超过2秒钟。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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