[发明专利]高纯砷的除杂方法

摘要

本发明涉及一种高纯砷的除杂方法，其包括如下步骤：S1、石英管预处理；S2、表层砷挥发；S3、破碎、筛分；S4、深度除杂。本方法利用砷在真空条件下可以升华的特性，提供一种高纯砷除Si、S、Na、Mg、Fe、Zn杂质元素的方法，此方法操作简单、除杂彻底、无污染、效率高、易于规模化生产、生产成本低。处理后的产品纯度可以达到7.5N以上，Si含量小于10ppb，S、Na、Mg、Fe、Zn含量均小于2ppb，达到MBE源的使用要求。

主权项

1.一种高纯砷的除杂方法，其特征在于：其包括如下步骤：S1、石英管预处理：将使用过的石英管放入王水中浸泡一段时间，捞出石英管用超纯水冲洗石英管直到洁净，然后将石英管装入一氢化还原炉中用于生产；S2、表层砷挥发：将氢化还原炉中生产的整根高纯砷置于一真空装置中，用真空泵将真空装置的真空度抽至50Pa以下，将真空装置加热至300~600℃，保温1‑5h，整根高纯砷的表层部分挥发去除，附着在整根高纯砷表层部分的杂质元素也随着挥发去除；S3、破碎、筛分：将整根高纯砷破碎成块状砷，破碎过程中，10%‑15%的高纯砷成为细粉；用高纯筛网将细粉与块状砷筛分分离，在筛分的同时采用吸尘器分离吸附在块状砷表面的细粉，取块状砷样品检测其表面的杂质元素的含量；S4、深度除杂：将块状砷置于真空装置中，用真空泵将真空装置的真空度抽至50Pa以下，将真空装置加热至300‑650℃，保温1‑15h，块状砷的表层部分挥发去除，附着在块状砷表层的杂质元素也随着块状砷的表层部分挥发去除，得到高纯砷产品。