[发明专利]一种基于MOS晶体管的基本运算电路及其扩展电路

摘要

本发明属于半导体技术领域，公开了一种基于MOS晶体管的基本运算电路，包括：MOS晶体管；所述MOS晶体管的漏极连接电源端VDD，所述MOS晶体管的源极作为电路输出端；MOS晶体管的栅极作为第一输入端，MOS晶体管的衬底作为第二输入端；其中，第一输入端采用二值输入a：VDD/VG0；第二输入端采用二值输入b：VX1/VX2；VG0的获取方法为：在MOS晶体管的衬底加载相对大值电压VX1，在MOS晶体管的栅极加载从VDD到VSS的扫描电压，获取MOS晶体管的第一导通电流图；在MOS晶体管的衬底加载相对小值电压VX2，重复上述操作，获取MOS晶体管的第二导通电流图并比较，获取导通电流差值最大时的栅极电压，即为VG0。本发明提供的基本运算电路能够降低空间占用，提升扩展使用的规模。

主权项

1.一种基于MOS晶体管的基本运算电路，其特征在于，包括：MOS晶体管；所述MOS晶体管的漏极连接电源端VDD，所述MOS晶体管的源极作为电路输出端；所述MOS晶体管的栅极作为第一输入端，所述MOS晶体管的衬底作为第二输入端；其中，所述第一输入端采用二值输入a：VDD/VG₀；第二输入端采用二值输入b：VX₁/VX₂；所述VG₀的获取方法为：在所述MOS晶体管的衬底加载相对大值电压VX₁，在所述MOS晶体管的栅极加载从VDD到VSS的扫描电压，获取所述MOS晶体管的第一导通电流图；在所述MOS晶体管的衬底加载相对小值电压VX₂，在所述MOS晶体管的栅极加载从VDD到VSS的扫描电压，获取所述MOS晶体管的第二导通电流图；比较所述第一导通电流图和第二导通电流图，获取导通电流差值最大时的栅极电压，即为VG₀。