[发明专利]薄膜电晶体及其制作方法

摘要

一种薄膜电晶体和其制作方法，包括：在一补底基板形成栅级层、绝缘层、非晶硅层、金属层、铜导线层以及光阻层。在制作有源层之前先对所述光阻层进行干刻蚀，形成一底部为所述铜导线层之沟道，同时使所述光阻层之边缘与所述金属层之边缘切齐，防止所述光阻层阻碍刻蚀气体对所述有源层刻蚀，提高了薄膜电晶体之开口率以及良率。在所述沟道处形成一氧化保护层，防止所述铜导线层与刻蚀气体反应形成化合物，使得后续能够得到较干净的沟道，提高了薄膜电晶体之良率。

主权项

1.一种薄膜电晶体的制作方法，所述方法包括：步驟1、在一衬底基板上设置栅极层、绝缘层、非晶硅层、金属层、铜导线层及光阻层；步驟2、对第一区域外之所述铜导线层及所述金属层进行湿刻蚀；步驟3、对所述光阻层进行干刻蚀，形成一底部为所述铜导线层之沟道；步驟4、对所述非晶硅层进行干刻蚀，形成有源层；步驟5、对所述沟道处之所述铜导线层和所述金属层进行湿刻蚀，形成源漏极。