[发明专利]三维半导体存储器装置在审
| 申请号： | 201910387764.3 | 申请日： | 2019-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN110739315A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 孙荣晥;姜书求;姜信焕 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11556 | 分类号： | H01L27/11556;H01L27/11582;H01L29/10;H01L29/423 |
| 代理公司： | 11286 北京铭硕知识产权代理有限公司 | 代理人： | 尹淑梅;陈晓博 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种三维半导体存储器装置。所述三维半导体存储器装置包括：栅电极和模制绝缘层，交替地堆叠在基底上；沟道层，贯穿栅电极和模制绝缘层；以及栅极介电层，位于栅电极与沟道层之间。栅极介电层和沟道层可以位于基底的上部中，并且可以以第一角度弯曲且在基底的上部中在模制绝缘层下方延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 模制绝缘层 沟道层 栅电极 基底 三维半导体存储器 栅极介电层 角度弯曲 堆叠 贯穿 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种三维半导体存储器装置，所述三维半导体存储器装置包括：/n栅电极和模制绝缘层，交替地堆叠在基底上；/n沟道层，贯穿所述栅电极和所述模制绝缘层；以及/n栅极介电层，位于所述栅电极与所述沟道层之间，/n其中，所述栅极介电层和所述沟道层位于所述基底的上部中，以第一角度弯曲，并且在所述基底的所述上部中在所述模制绝缘层下方延伸。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910387764.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：多晶硅电阻结构及其制作方法
- 下一篇：阵列基板、显示面板及阵列基板的制作方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
