[发明专利]一种低压零功耗CMOS上电检测电路在审
| 申请号： | 201910389480.8 | 申请日： | 2019-05-08 |
| 公开（公告）号： | CN110007132A | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 庄在龙 | 申请（专利权）人： | 南京芯耐特半导体有限公司 |
| 主分类号： | G01R19/165 | 分类号： | G01R19/165;G06F1/24;H03K17/22 |
| 代理公司： | 南京聚匠知识产权代理有限公司 32339 | 代理人： | 刘囝 |
| 地址： | 211800 江苏省南京市浦口区*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种低压零功耗CMOS上电检测电路，包括电容Cp、NMOS器件NM1、RS触发器、一级反相器I3、分压模块、整形模块、二级反相器I4、对地延迟电容C1、三级反相器。本发明采用PM1和电阻R1的分压的结构，可以在低电压下，实现上电电平的检测，同时PM2和C1产生的延迟，可以帮助快速检测电源上电情况下，产生足够逻辑电路复位的延迟区间；NM1帮助在正常工作状态下，避免产生静态电流消耗，做到无静态功耗的启动电路，适用于低压，低功耗的集成电路芯片应用。 | ||
| 搜索关键词： | 上电检测电路 零功耗 上电 延迟 集成电路芯片 静态电流消耗 正常工作状态 二级反相器 三级反相器 一级反相器 分压模块 静态功耗 快速检测 启动电路 延迟电容 整形模块 电容 低电压 低功耗 复位 电阻 分压 电源 帮助 检测 应用 | ||
【主权项】：
1.一种低压零功耗CMOS上电检测电路，用于检测电源VDD的变化，其特征在于，包括：电容Cp，连接电源VDD，输出电压Vp；NMOS器件NM1，与电容Cp串联；RS触发器，接收Vp和NM1栅极电压；一级反相器I3，输入端与RS触发器的输出端相连；分压模块，由NMOS器件NM2、电阻R1以及PMOS器件PM1串联而成，输出电压Vq；整形模块，由NMOS器件NM3和PMOS器件PM2并联而成；二级反相器I4，输入端与整形模块串联，输出端输出电压Va，并与NM1的栅极相连；对地延迟电容C1，一端与二级反相器I4输出端串联，另一端接地；三级反相器，由I5和I6串联而成，输入电压Va，输出s_porb。
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