[发明专利]一种从碲化铋基半导体制冷片废料中回收碲的方法有效

专利信息
申请号: 201910391872.8 申请日: 2019-05-13
公开(公告)号: CN110127632B 公开(公告)日: 2022-09-02
发明(设计)人: 王刚;王瑞林;姜春萍;陈金伟 申请(专利权)人: 四川大学
主分类号: C01B19/02 分类号: C01B19/02
代理公司: 成都正象知识产权代理有限公司 51252 代理人: 陈丹丹
地址: 610000 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要: 发明涉及有色金属回收技术领域,公开了一种从碲化铋基半导体制冷片废料中回收碲的方法。该方法包括将碲化铋基半导体制冷片废料清洗沉降、破碎研磨得到含碲物料粉末,对物料粉末用盐酸进行酸浸再加入氧化剂进行氧化,加入还原剂除去硒杂质后再中和沉淀得到二氧化碲滤渣。将二氧化碲滤渣、水、氢氧化钠混合配置成亚碲酸钠电解液,过滤,除去铋、锑杂质,电沉积,最终获得金属碲。本发明采用氧化酸浸法处理碲化铋基半导体制冷片废料从而回收金属碲。该回收方法无需高温焙烧,降低了能耗、成本以及对环境的影响,并且对P型和N型制冷片材料均可以处理,无需进行分类,适用性强。同时,本发明方法对碲的收率高且质量稳定,容易实现产业化。
搜索关键词: 一种 碲化铋基 半导体 制冷 废料 回收 方法
【主权项】:
1.一种从碲化铋基半导体制冷片废料中回收碲的方法,其特征在于,包括以下步骤:步骤1:将所述碲化铋基半导体制冷片废料加入0.5~10wt%的氢氧化钠溶液、0.5~10wt%碳酸钠溶液、0.5~10wt%四聚丙烯苯磺酸钠、酒精、煤油或丙酮中于25~80℃浸泡1~10h,中间不断搅拌,清洗除去杂质,过滤,破碎研磨,得到含碲物料粉末;步骤2:按固液质量体积比1:3~1:8分别加入所述含碲物料粉末和所述盐酸溶液,所述盐酸溶液的浓度控制在1~10mol/L;步骤3:将所述步骤2的反应温度升高至50~90℃,缓慢加入质量为碲金属质量0.05~5倍的氧化剂,保温反应1~8h,过滤,收集得到滤液A;所述氧化剂为次氯酸钠、次氯酸钙、氯酸钠、高氯酸钠、高锰酸钾或过氧化氢中的至少一种;步骤4:将反应温度升高至60~95℃,在所述滤液A中加入质量为硒金属质量1~10倍的还原剂,保温反应0.5~5h过滤,收集得到滤液B;所述还原剂为亚硫酸钠、硫酸亚铁、盐酸羟胺、EDTA、邻苯二胺或水合肼中的至少一种;步骤5:在所述滤液B中加入氢氧化钠将滤液B调节至pH值为4~6.5,析出二氧化碲沉淀,过滤,收集二氧化碲滤渣;步骤6:将所述二氧化碲滤渣、水、氢氧化钠混合配置成亚碲酸钠电解液,过滤,除去铋、锑杂质,电沉积,最终获得金属碲。
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