[发明专利]基片处理方法、基片处理装置和基片处理系统在审
| 申请号： | 201910392935.1 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN110491789A | 公开（公告）日： | 2019-11-22 |
| 发明（设计）人： | 香川兴司 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/306;H01L21/67 |
| 代理公司： | 11322 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳;刘芃茜<国际申请>=<国际公布>= |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种能够适当地从基片除去硼单质膜的技术。本发明的基片处理方法包括生成步骤和除去步骤。生成步骤使氧化剂接触在包含硅系膜的膜上形成有硼单质膜的基片中的硼单质膜从而生成B(OH)3或者B2O3。除去步骤使在生成步骤中生成的B(OH)3或者B2O3溶解于水，由此从基片除去硼单质膜。 | ||
| 搜索关键词： | 硼单质 生成步骤 氧化剂 基片处理 硅系膜 溶解 | ||
【主权项】：
1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：/n生成步骤，其使氧化剂接触在包含硅系膜的膜上形成有硼单质膜的基片中的所述硼单质膜从而生成B(OH)3或者B2O3；和/n除去步骤，其使在所述生成步骤中生成的B(OH)3或者B2O3溶解于水，由此从所述基片除去所述硼单质膜。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
