[发明专利]基片处理装置和基片处理方法在审

申请号：	201910395773.7	申请日：	2019-05-13
公开（公告）号：	CN110504189A	公开（公告）日：	2019-11-26
发明（设计）人：	久保诚人;井本直树;八寻俊一	申请（专利权）人：	东京毅力科创株式会社
主分类号：	H01L21/67	分类号：	H01L21/67;H01L21/677
代理公司：	11322 北京尚诚知识产权代理有限公司	代理人：	龙淳;刘芃茜<国际申请>=<国际公布>=
地址：	日本***	国省代码：	日本;JP
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：	本发明提供一种能够抑制在基片处理中发生不均的技术。实施方式的基片处理装置包括腔室、多个供气部和控制部。腔室用于收纳基片，能够在减压气氛在内部保持基片。供气部用于对腔室内供给气体。控制部分别控制多个供气部进行的气体的供给。控制部在使腔室内回到常压时，开始从多个供气部中的一个以上的供气部供给气体后，增加供给气体的供气部的数量。
搜索关键词：	供气部供给气体腔室基片处理装置室内基片处理减压气氛收纳常压
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【主权项】：

1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：/n腔室，其用于收纳基片，并能够在减压气氛下在内部保持基片；/n用于对所述腔室内供给气体的多个供气部；和/n控制部，其分别控制所述多个供气部进行的所述气体的供给，/n所述控制部在使所述腔室内回到常压时，开始从所述多个供气部中的一个以上的供气部供给所述气体后，增加供给所述气体的所述供气部的数量。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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