[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201910395893.7 | 申请日： | 2019-05-13 |
| 公开（公告）号： | CN110875323B | 公开（公告）日： | 2023-06-09 |
| 发明（设计）人： | 小林茂树;鬼头杰;内山泰宏 | 申请（专利权）人： | 铠侠股份有限公司 |
| 主分类号： | H10B41/00 | 分类号： | H10B41/00;H10B41/30;H10B43/00;H10B43/30 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供容易高集成化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备第1导电层、第1绝缘层、第1半导体层、第2半导体层、第1接触电极、第2接触电极。第1导电层在第1方向延伸。第1绝缘膜在第1方向延伸，在与第1方向交叉的第2方向与第1导电层并排。第1半导体层与第1导电层对向，在与第1方向及第2方向交叉的第3方向延伸。第2半导体层与第1导电层对向，在第3方向延伸，第2方向的位置与第1半导体层不同。第1接触电极连接于第1半导体层。第2接触电极连接于第2半导体层。在第1方向及第2方向延伸的第1截面中，第1半导体层的外周面由第1导电层遍及全周地包围，第2半导体层的外周面由第1导电层及第1绝缘层包围。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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