[发明专利]阵列基板和阵列基板的制备方法在审
申请号: | 201910398245.7 | 申请日: | 2019-05-14 |
公开(公告)号: | CN110190066A | 公开(公告)日: | 2019-08-30 |
发明(设计)人: | 罗传宝 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人: | 黄威 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种阵列基板和阵列基板制备方法,阵列基板包括薄膜晶体管,薄膜晶体管包括栅极、有源层、栅绝缘层、源极、以及漏极,有源层包括层叠设置的第一有源层和第二有源层,第一有源层和第二有源层材料不同,以提升薄膜晶体管的开态电流,栅绝缘层设置于栅极与有源层之间,源极、漏极与有源层电性连接;本发明将有源层设置为材料不同的第一有源层和第二有源层,可以降低与栅绝缘层的接触势垒,或者缩小有源层空乏区,从而提升了薄膜晶体管的开态电流。 | ||
搜索关键词: | 源层 阵列基板 薄膜晶体管 栅绝缘层 开态电流 漏极 源极 制备 层叠设置 电性连接 接触势垒 空乏区 | ||
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:栅极;有源层,包括叠层设置的第一有源层和第二有源层,所述第一有源层和所述第二有源层材料不同,以提升薄膜晶体管的开态电流;栅绝缘层,设置于所述栅极与所述有源层之间;源极,与所述有源层电性连接;漏极,与所述有源层电性连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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