[发明专利]阵列基板和阵列基板的制备方法在审

专利信息
申请号: 201910398245.7 申请日: 2019-05-14
公开(公告)号: CN110190066A 公开(公告)日: 2019-08-30
发明(设计)人: 罗传宝 申请(专利权)人: 深圳市华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 代理人: 黄威
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种阵列基板和阵列基板制备方法,阵列基板包括薄膜晶体管,薄膜晶体管包括栅极、有源层、栅绝缘层、源极、以及漏极,有源层包括层叠设置的第一有源层和第二有源层,第一有源层和第二有源层材料不同,以提升薄膜晶体管的开态电流,栅绝缘层设置于栅极与有源层之间,源极、漏极与有源层电性连接;本发明将有源层设置为材料不同的第一有源层和第二有源层,可以降低与栅绝缘层的接触势垒,或者缩小有源层空乏区,从而提升了薄膜晶体管的开态电流。
搜索关键词: 源层 阵列基板 薄膜晶体管 栅绝缘层 开态电流 漏极 源极 制备 层叠设置 电性连接 接触势垒 空乏区
【主权项】:
1.一种阵列基板,其特征在于,包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括:栅极;有源层,包括叠层设置的第一有源层和第二有源层,所述第一有源层和所述第二有源层材料不同,以提升薄膜晶体管的开态电流;栅绝缘层,设置于所述栅极与所述有源层之间;源极,与所述有源层电性连接;漏极,与所述有源层电性连接。
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