[发明专利]一种发光二极管芯片及其制造方法在审
| 申请号： | 201910400488.X | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN110148654A | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 吕振兴;李鑫鑫;刘亚柱;王晓燕;齐胜利 | 申请（专利权）人： | 合肥彩虹蓝光科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15;H01L33/14;H01L33/38 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 代玲 |
| 地址： | 230011 安*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提出一种发光二极管芯片及其制造方法，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上；形成电流阻挡层于所述外延结构上；形成电流扩展层于所述外延结构上，以及移除部分所述外延结构，形成凹槽；所述凹槽暴露出第二半导体层；移除部分所述外延结构，形成隔离槽；所述隔离槽暴露出所述衬底；形成钝化层于所述外延结构，所述凹槽暴露的第二半导体层以及所述隔离槽暴露的衬底上；形成金属电极于所述外延结构上；其中，形成所述隔离槽的步骤包括：形成图案化光阻层于所述外延结构上；移除部分所述外延结构，形成所述隔离槽；其中，通过至少一次曝光形成所述图案化光阻层。通过本发明制造的发光二极管芯片发光效率高，且能够在高压下工作。 | ||
| 搜索关键词： | 外延结构 隔离槽 衬底 发光二极管芯片 移除 图案化光阻层 暴露 半导体层 制造 电流扩展层 电流阻挡层 发光效率 金属电极 一次曝光 钝化层 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片的制造方法，其特征在于，包括：提供一衬底；形成外延结构于所述衬底上，其中，所述外延结构至少包括第一半导体层，发光层，第二半导体层；形成电流阻挡层于所述外延结构的第一半导体层上；形成电流扩展层于所述外延结构上，以及移除部分所述外延结构，形成凹槽；所述凹槽暴露出第二半导体层；移除部分所述外延结构，形成隔离槽；所述隔离槽暴露出所述衬底；形成钝化层于所述外延结构，所述凹槽暴露的第二半导体层以及所述隔离槽暴露的衬底上；形成金属电极于所述外延结构上；其中，形成所述隔离槽的步骤包括：形成图案化光阻层于所述外延结构上；移除部分所述外延结构，形成所述隔离槽；其中，通过至少一次曝光形成所述图案化光阻层。
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