[发明专利]一种非易失存储器写处理方法及装置有效
| 申请号： | 201910402323.6 | 申请日： | 2019-05-14 |
| 公开（公告）号： | CN111951860B | 公开（公告）日： | 2022-10-18 |
| 发明（设计）人： | 张晓伟;同亚娜 | 申请（专利权）人： | 兆易创新科技集团股份有限公司;西安格易安创集成电路有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/12 | 分类号： | G11C16/12;G11C16/08 |
| 代理公司： | 北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 | 代理人： | 莎日娜 |
| 地址： | 100094 北京市海淀*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种非易失存储器写处理方法及装置，该方法包括：在对待处理存储块执行写操作时，确定所述待处理存储块的目标编程字线；确定所述目标编程字线的编程电压补偿量；对所述目标编程字线施加第一编程电压；所述第一编程电压为：预设编程电压与所述编程电压补偿量的差；在所述目标编程字线未完成写操作的情况下，对所述目标编程字线施加第二编程电压；所述第二编程电压为：所述第一编程电压与第一预设电压增量的和。本发明实施例VT0的分布与VT1的分布类似，避免了因为VT0与其他字线的导通阈值电压差距过大造成的逻辑错误，进而可以避免初始字线WL0中出现写入的数据不能被正确读出的现象发生。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 非易失 存储器 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
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