[发明专利]半导体晶圆测试结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201910406880.5 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN110120357B | 公开（公告）日： | 2021-05-14 |
| 发明（设计）人： | 周华 | 申请（专利权）人： | 芯盟科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 314400 浙江省嘉兴市海宁市海*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 一种半导体晶圆测试结构及其形成方法，半导体晶圆测试结构包括：基底；位于基底上的第一器件层，所述第一器件层内具有沿第一方向排布的若干第一衬垫和若干第一测试单元，每个第一测试单元与两个不同的第一衬垫电连接，每个第一衬垫与两个不同的第一测试单元电连接；位于第一器件层上的第二器件层，所述第二器件层内具有沿第二方向排布的若干第二衬垫和若干第二测试单元，所述第二方向与第一方向不同，每个第二测试单元与两个不同的第二衬垫电连接，每个第二衬垫与两个不同的第二测试单元电连接；位于第二器件层内的第三衬垫，所述第三衬垫与第一衬垫一一对应连接。所述半导体晶圆测试结构的所占用的面积较小，提高了半导体器件的空间利用率。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 测试 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶圆测试结构，其特征在于，包括：基底；位于基底上的第一器件层，所述第一器件层内具有沿第一方向排布的若干第一衬垫和若干第一测试单元，每个第一测试单元与两个不同的第一衬垫电连接，每个第一衬垫与两个不同的第一测试单元电连接；位于第一器件层上的第二器件层，所述第二器件层内具有沿第二方向排布的若干第二衬垫和若干第二测试单元，所述第二方向与第一方向不同，每个第二测试单元与两个不同的第二衬垫电连接，每个第二衬垫与两个不同的第二测试单元电连接；位于第二器件层内的若干第三衬垫，所述第三衬垫沿第一方向排布，所述第三衬垫与第一衬垫一一对应连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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