[发明专利]半导体器件及其形成方法在审
| 申请号： | 201910407216.2 | 申请日： | 2019-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN111952357A | 公开（公告）日： | 2020-11-17 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其形成方法，包括：提供衬底，衬底上形成有若干分立排布鳍部；在衬底上形成横跨所述鳍部的伪栅结构；在伪栅结构上形成至少一个分立排布的硬掩膜层；在硬掩膜层的侧壁上形成牺牲侧墙；在相邻的牺牲侧墙之间形成牺牲层；去除牺牲侧墙以及牺牲侧墙覆盖的伪栅结构，形成开口；在开口内填充满介质层，介质层的顶部与硬掩膜层的顶部齐平；这种形成方法将形成的介质层作为伪栅结构的侧墙，不会在鳍部上形成有介质层，保证了形成的鳍部的表面质量，从而使得形成的半导体器件的性能波动小，良率得到提高，在形成源漏时，能够形成形貌质量好的外延层，保证形成的半导体器件的使用性能的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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