[发明专利]双滤波器芯片制作方法、芯片及双滤波器在审
| 申请号： | 201910411143.4 | 申请日： | 2019-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN110138355A | 公开（公告）日： | 2019-08-16 |
| 发明（设计）人： | 付先;肖立;王宇航;陈曦;曹应明 | 申请（专利权）人： | 江苏卓胜微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H03H9/02 | 分类号： | H03H9/02;H03H9/58 |
| 代理公司： | 北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514 | 代理人： | 向霞 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明实施例公开了一种双滤波器芯片制作方法，包括以下步骤：提供一压电晶片；对压电晶片的表面进行清洗；在清洗后的压电晶片的表面上沉积形成第一金属指条，并对包括第一金属指条的压电晶体进行去胶处理；对沉积有第一金属条的压电晶片的表面上形成保护膜，并在含有保护膜的压电晶片的表面上沉积形成第二金属指条；对包括第二金属指条的压电晶片进行去胶处理。实施本发明实施例双滤波器芯片制作方法，使得双滤波器中的两个滤波器中的金属指条能做到最优的膜厚，使每个滤波器的性能达到了最优，从而提升了双滤波器的整体性能。 | ||
| 搜索关键词： | 双滤波器 压电晶片 金属指条 芯片制作 沉积 滤波器 保护膜 去胶 清洗 压电晶体 金属条 膜厚 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种双滤波器芯片制作方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)提供一压电晶片；(2)对所述压电晶片的表面进行清洗；(3)在清洗后的所述压电晶片的表面上沉积形成第一金属指条，并对包括第一金属指条的压电晶体进行去胶处理；(4)对沉积有第一金属条的所述压电晶片的表面上形成保护膜，并在含有保护膜的所述压电晶片的表面上沉积形成第二金属指条，其中，所述第一金属指条的厚度为h1，所述第二金属指条厚度为h2，且h1不等于h2；(5)对包括第二金属指条的压电晶片进行去胶处理。
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