[发明专利]一种三维存储器结构在审
| 申请号： | 201910415247.2 | 申请日： | 2019-05-17 |
| 公开（公告）号： | CN110299361A | 公开（公告）日： | 2019-10-01 |
| 发明（设计）人： | 景蔚亮;张格毅;陈邦明 | 申请（专利权）人： | 上海新储集成电路有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/11524;H01L27/11551;H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人： | 俞涤炯 |
| 地址： | 201500 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种三维存储器结构，涉及集成电路领域，包含一衬底，于所述衬底上形成逻辑电路层，并于所述逻辑电路层上形成易失性存储层，随后于所述易失性存储层上形成三维存储层；所述易失性存储层中包括多个第一存储单元，所述第一存储单元为eDRAM存储单元；所述三维存储层中包括多个第二存储单元，所述第二存储单元为3D NAND存储单元；采用所述第一存储单元作为所述第二存储单元的缓存；每个所述第一存储单元包括一读晶体管、一写晶体管以及一电容，采用2T1C结构形成。本发明的有益效果：优化了现有三维存储器的结构，提高了存储密度，使得相同使用面积可以提供更多的存储单元。 | ||
| 搜索关键词： | 存储单元 第二存储单元 三维存储器 易失性存储 三维存储层 衬底 集成电路领域 缓存 结构形成 写晶体管 电容 晶体管 存储 优化 | ||
【主权项】：
1.一种三维存储器结构，其特征在于，包括一衬底，于所述衬底上形成逻辑电路层，并于所述逻辑电路层上形成易失性存储层，随后于所述易失性存储层上形成三维存储层；所述易失性存储层中包括多个第一存储单元，所述第一存储单元为eDRAM存储单元；所述三维存储层中包括多个第二存储单元，所述第二存储单元为3D NAND存储单元；采用所述第一存储单元作为所述第二存储单元的缓存；每个所述第一存储单元包括一读晶体管、一写晶体管以及一电容，采用2T1C结构形成。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海新储集成电路有限公司，未经上海新储集成电路有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910415247.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构及其制作方法
- 下一篇：一种3D NAND存储器及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
