[发明专利]晶体管结构及其操作方法在审
| 申请号： | 201910417522.4 | 申请日： | 2019-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN110212035A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 陈信学;刘品妙;张哲嘉;陈亦伟 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种晶体管结构及其操作方法，其中该晶体管结构包括基板、本征半导体层、栅极、第一源/漏极、第二源/漏极以及遮蔽金属层。本征半导体层配置于基板上。本征半导体层包括通道部、第一过度部、第二过度部、第一接触部与第二接触部。栅极重叠本征半导体层的通道部。本征半导体层位于基板与栅极之间。第一源/漏极接触本征半导体层的第一接触部。第二源/漏极接触本征半导体层的第二接触部。遮蔽金属层配置于基板与本征半导体层之间。遮蔽金属层包括遮蔽图案、第一遮蔽电极与第二遮蔽电极。第一遮蔽电极与第二遮蔽电极分别重叠第一过度部与第二过度部。遮蔽图案重叠通道部。 | ||
| 搜索关键词： | 本征半导体层 遮蔽电极 源/漏极 基板 晶体管结构 遮蔽金属层 遮蔽图案 通道部 重叠通道 配置 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管结构，其特征在于，该晶体管结构包括：基板；本征半导体层，配置于该基板上，该本征半导体层包括通道部、第一过度部、第二过度部、第一接触部与第二接触部，该第一过度部连续的延伸于该第一接触部与该通道部之间，且该第二过度部连续的延伸于该第二接触部与该通道部之间；栅极，重叠该本征半导体层的该通道部，且该本征半导体层位于该基板与该栅极之间；第一源/漏极，接触该本征半导体层的该第一接触部；第二源/漏极，接触该本征半导体层的该第二接触部；以及遮蔽金属层，配置于该基板与该本征半导体层之间，该遮蔽金属层包括遮蔽图案、第一遮蔽电极与第二遮蔽电极，该第一遮蔽电极与该第二遮蔽电极分别重叠该第一过度部与该第二过度部，而该遮蔽图案重叠该通道部。
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