[发明专利]使用单个操作伪栅极去除的晶体管栅极结构化的方法在审
| 申请号： | 201910417836.4 | 申请日： | 2019-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN110620144A | 公开（公告）日： | 2019-12-27 |
| 发明（设计）人： | M.拉多萨夫耶维奇;邓汉威;S.达斯古普塔;P.费舍尔;W.哈费茨 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/40;H01L29/423;H01L29/78 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张凌苗;闫小龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 使用单个操作伪栅极去除的晶体管栅极结构化的方法。公开了一种晶体管栅极。该晶体管栅极包括在衬底上方的第一部分和在第一部分上方的第二部分，第一部分具有第一宽度，第二部分相对于第一部分居中并且具有大于第一宽度的第二宽度。第一部分和第二部分形成单个单片T栅极结构。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管栅极 晶体管栅极结构 单个操作 伪栅极 衬底 单片 去除 | ||
【主权项】：
1. 一种晶体管栅极，所述晶体管栅极包括：/n在衬底上方的第一部分，其具有第一宽度；和/n在第一部分上方的第二部分，其相对于第一部分居中并且具有大于第一宽度的第二宽度，其中第一部分和第二部分形成单个单片T栅极结构。/n
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