[发明专利]用于间隙等效系统及方法的DRAM感测放大器有源匹配填充特征有效
| 申请号： | 201910418495.2 | 申请日： | 2019-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN110875065B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | S·V·科莱;B·A·米勒蒙;T·D·罗比斯;J·W·汤普森 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | G11C7/06 | 分类号： | G11C7/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请案涉及用于间隙等效系统及方法的DRAM感测放大器有源匹配填充特征。存储器装置可包含具有多个存储器单元的存储器阵列及连接到存储器阵列的一或多个感测放大器。每一感测放大器可包含一对匹配晶体管。还可靠近所述匹配晶体管对中的至少一个晶体管包含有源匹配填充特征。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 间隙 等效 系统 方法 dram 放大器 有源 匹配 填充 特征 | ||
【主权项】：
暂无信息
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