[发明专利]一种等离子体刻蚀方法在审
| 申请号： | 201910420237.8 | 申请日： | 2019-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN110211866A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 张永柯 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/3213 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体刻蚀方法，所述方法至少包括：提供一块待刻蚀基板，将所述基板放置于反应腔体内；向所述反应腔体内导入主刻蚀气体、辅助刻蚀气体以及稀释气体；待刻蚀结束后，向所述反应腔体内导入残留电荷去除气体，用于去除附着在所述基板表面的残留电荷；通过真空系统将所述反应腔体内剩余的刻蚀气体以及所述刻蚀副产物排出。本发明通过在等离子体刻蚀方法的刻蚀步骤结束后，增加导入残留电荷去除气体的步骤，使得残留电荷去除气体与附着在金属层上的残留电荷发生反应，去除残留在金属层表面的电荷，在保证了等离子体刻蚀的刻蚀选择比和均匀性的同时，解决了等离子体刻蚀制程中刻蚀后发生静电放电导致金属击伤的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体刻蚀 残留电荷 去除 反应腔 体内 刻蚀气体 附着 刻蚀 金属层表面 刻蚀副产物 刻蚀选择比 主刻蚀气体 基板表面 基板放置 静电放电 刻蚀步骤 刻蚀基板 稀释气体 真空系统 电荷 金属层 均匀性 排出 制程 残留 金属 保证 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体刻蚀方法，其特征在于，所述方法至少包括：S10：提供一块待刻蚀基板，将所述基板放置于反应腔体内；S20：向所述反应腔体内导入主刻蚀气体、用于调节刻蚀比的辅助刻蚀气体以及用于稀释并吸附刻蚀副产物和其他未参加反应物质的稀释气体；S30：待刻蚀结束后，向所述反应腔体内导入残留电荷去除气体，用于去除附着在所述基板表面的残留电荷；S40：通过真空系统将所述反应腔体内剩余的刻蚀气体以及所述刻蚀副产物排出。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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