[发明专利]湿法处理装置及晶圆湿法处理方法在审
| 申请号： | 201910426709.0 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110164795A | 公开（公告）日： | 2019-08-23 |
| 发明（设计）人： | 刘璞方;高英哲;张文福;李丹 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02;H01L21/306 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 史治法 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明提供一种湿法处理装置及晶圆湿法处理方法，湿法处理装置包括：晶圆承载台，用于承载晶圆；喷嘴，位于晶圆承载台的一侧上方，用于向晶圆的表面喷射处理液；驱动装置，与喷嘴相连接，用于驱动喷嘴沿竖直方向及水平方向两个方向中的至少一个方向移动，以确保喷嘴将处理液喷射至晶圆的中心。本发明的湿法处理装置通过增设驱动装置，可以根据喷嘴喷射处理液的流量调整喷嘴距离晶圆的中心的距离，可以在任意处理液流量的情况下确保喷嘴将处理液喷射至晶圆的中心，从而确保处理液对晶圆的清洗或刻蚀效果，进而提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 处理液 湿法处理装置 喷嘴 晶圆承载台 驱动装置 湿法处理 喷射 处理液流量 表面喷射 方向移动 刻蚀效果 流量调整 喷嘴距离 喷嘴喷射 驱动喷嘴 良率 竖直 清洗 承载 增设 | ||
【主权项】：
1.一种湿法处理装置，其特征在于，包括：晶圆承载台，用于承载晶圆；喷嘴，位于所述晶圆承载台的一侧上方，用于向所述晶圆的表面喷射处理液；驱动装置，与所述喷嘴相连接，用于驱动所述喷嘴沿竖直方向及水平方向两个方向中的至少一个方向移动，以确保所述喷嘴将所述处理液喷射至所述晶圆的中心。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
