[发明专利]集成电路器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种集成电路器件以及制造集成电路器件的方法，其中该集成电路器件包括：鳍型有源区，在衬底上沿着平行于衬底的顶表面的第一方向延伸；栅极结构，在鳍型有源区上延伸，并且沿着平行于衬底的顶表面且不同于第一方向的第二方向延伸；以及源极/漏极区，在从栅极结构的一侧延伸到鳍型有源区中的凹入区域中，源极/漏极区包括：在凹入区域的内壁上的上半导体层，具有第一杂质浓度，并且包括间隙；以及间隙填充半导体层，其填充间隙并且具有大于第一杂质浓度的第二杂质浓度。

主权项

1.一种集成电路器件，包括：/n鳍型有源区，在衬底上沿着平行于所述衬底的顶表面的第一方向延伸；/n栅极结构，在所述鳍型有源区上延伸并且沿着平行于所述衬底的所述顶表面且不同于所述第一方向的第二方向延伸；以及/n源极/漏极区，在从所述栅极结构的一侧延伸到所述鳍型有源区中的凹入区域中，所述源极/漏极区包括：/n上半导体层，在所述凹入区域的内壁上，具有第一杂质浓度，所述上半导体层包括间隙；以及/n间隙填充半导体层，在所述间隙中，具有大于所述第一杂质浓度的第二杂质浓度。/n