[发明专利]用于工艺中充电控制的植入衬底接触部在审
| 申请号： | 201910428227.9 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN110634858A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 邓汉威;P.费希尔;W.哈菲斯;M.拉多萨夫尔杰维奇;S.达斯古普塔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 郑浩;杨美灵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 公开了一种衬底接触二极管。该衬底接触二极管包括衬底中的第一类型衬底植入物抽头、在衬底上的外延层中的第二类型外延植入物以及第二类型外延植入物上方的第一类型外延区。接触电极从该第一类型外延区的顶部向上延伸到包围该接触电极的层间电介质的表面。 | ||
| 搜索关键词： | 植入物 衬底 二极管 衬底接触 接触电极 外延区 层间电介质 抽头 向上延伸 外延层 包围 | ||
【主权项】：
1.一种衬底接触二极管，包括：/n衬底中的第一类型衬底植入物抽头；/n在所述衬底上形成的外延层中的第二类型外延植入物；/n所述第二类型外延植入物上方的第一类型外延区；以及/n接触电极，所述接触电极从所述第一类型外延区的顶部向上延伸到包围所述接触电极的层间电介质的表面。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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