[发明专利]半导体器件制备方法在审
| 申请号： | 201910430240.8 | 申请日： | 2019-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN111987039A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 文浩宇;孙晓峰;秦仁刚;周耀辉 | 申请（专利权）人： | 无锡华润上华科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/762 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 熊文杰;邓云鹏 |
| 地址： | 214028 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种半导体器件制备方法，包括：提供衬底，在衬底上形成缓冲氧化层和氮化硅掩膜；开设刻蚀窗口并刻蚀衬底，形成沟槽；在沟槽的内壁依次形成隔离氧化层和隔离氮化硅层；刻蚀部分隔离氮化硅层，使隔离氮化硅层的延伸高度低于衬底上表面，并形成覆盖氮化硅掩膜和填满沟槽的介质氧化层；对介质氧化层进行研磨并停止于氮化硅掩膜；去除氮化硅掩膜和缓冲氧化层，且不暴露隔离氮化硅层；在衬底表面形成栅氧层，并在栅氧层上形成多晶硅层。在上述过程中，隔离氮化硅层与栅氧层和多晶硅层没有接触，且不会形成尖角，因此不会影响栅氧层的TDDB测试。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
