[发明专利]一种温度检测装置的制备方法

摘要

本发明实施例公开了一种温度检测装置的制备方法，通过直接在温度检测装置的温度敏感元件上形成键合层，并基于CIS(CMOS Image Sensor)键合减薄工艺平台，采用混合键合的工艺将信号读取芯片通过键合层与温度传感芯片键合，并对衬底进行减薄，能够简化温度检测装置的制备工艺，提高产品良率，降低成本，实现批量化生产。

主权项

1.一种温度检测装置的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在所述衬底的一侧形成温度传感芯片；在所述温度传感芯片背离所述衬底的一侧形成键合层；提供一信号读取芯片；采用混合键合的工艺将所述信号读取芯片通过所述键合层与所述温度传感芯片键合；其中，在所述衬底的一侧形成温度传感芯片，包括：在所述衬底中形成温度敏感元件；在所述衬底形成有所述温度敏感元件的一侧形成温度吸收元件；在所述温度吸收元件背离所述衬底的一侧形成温度传导结构；所述温度传导结构包括传导介质层以及位于所述传导介质层内的温度传导元件；所述制备方法还包括：对所述衬底背离所述键合层的一侧进行减薄并刻蚀，去除未形成有所述温度敏感元件的位置处的所述衬底，以露出所述温度敏感元件；去除所述温度传导结构中的传导介质层，以露出所述温度传导元件。