[发明专利]具有全环栅器件的自对准栅极端盖（SAGE）架构在审
| 申请号： | 201910438948.8 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110634863A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | B.古哈;W.徐;L.P.古勒;D.M.克鲁姆;T.加尼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088 |
| 代理公司： | 72001 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张凌苗;闫小龙 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 具有全环栅器件的自对准栅极端盖（SAGE）架构。描述了具有全环栅器件的自对准栅极端盖（SAGE）架构，以及制造具有全环栅器件的自对准栅极端盖（SAGE）架构的方法。在示例中，一种集成电路结构，包括：半导体鳍片，其在衬底上方并且具有在第一方向上的长度。纳米线在半导体鳍片上方。栅极结构在纳米线和半导体鳍片上方，栅极结构具有与第二方向上的第二端相对的第一端，所述第二方向垂直于第一方向。包括一对栅极端盖隔离结构，其中，该对栅极端盖隔离结构中的第一个与半导体鳍片的第一侧等距间隔开，同时该对栅极端盖隔离结构中的第二个与半导体鳍片的第二侧间隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体鳍片 栅极端 隔离结构 自对准 全环 架构 栅极结构 纳米线 对栅 集成电路结构 等距间隔 方向垂直 第一端 衬底 制造 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：/n半导体鳍片，其在衬底上方并且具有在第一方向上的长度；/n在半导体鳍片上方的纳米线；/n在纳米线和半导体鳍片上方的栅极结构，栅极结构具有与第二方向上的第二端相对的第一端，所述第二方向垂直于第一方向；以及/n一对栅极端盖隔离结构，其中该对栅极端盖隔离结构中的第一个与半导体鳍片的第一侧等距间隔开，同时该对栅极端盖隔离结构中的第二个与半导体鳍片的第二侧间隔开，其中，该对栅极端盖隔离结构中的第一个直接邻近于栅极结构的第一端，并且该对栅极端盖隔离结构中的第二个直接邻近于栅极结构的第二端。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
