[发明专利]半透光掩膜版

摘要

本发明提供一种半透光掩膜版，其包括透光区、遮光区、以及半透光区，位于半透光区内的基板上设置有光谱调制层，该光谱调制层为掺杂了特定稀土配合物，可以将曝光照射光线中位于第一波长范围内的光线，转换成不能激发光阻发生反应的第二波长范围的光线。从而实现了半透光区曝光照射能量的减弱，达到了半透光的效果，且可以通过调节稀土配合物的种类、掺杂密度、以及光谱调制层的厚度等影响因子，来达到不同的光波转换率，以实现不同光阻层厚的控制。本发明提供的半透光掩膜版，半掩膜效果精准可控，且工艺简单、成本低，缓解了现有半透光掩膜版存在制备工艺复杂，成本高的问题。

主权项

1.一种半透光掩膜版，用于刻蚀光阻，包括透光区、遮光区、以及半透光区，其特征在于，所述半透光掩膜版包括：基板；设置在基板上且位于遮光区内的遮光层；设置在基板上且位于半透光区内的光谱调制层，用于将曝光照射光线中位于第一波长范围内的光线，转换成第二波长范围的光线，所述第二波长范围内的光线不能激发光阻发生聚合反应。