[发明专利]掩膜版及其制造方法在审
| 申请号： | 201910440516.0 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN111983888A | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/38 | 分类号： | G03F1/38 |
| 代理公司： | 上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙) 31260 | 代理人： | 成丽杰 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例涉及一种掩膜版及其制造方法，掩膜版包括：基板；图形层，所述图形层位于所述基板上，且所述图形层包括图形区以及环绕所述图形区的外围区；透光盖板，所述透光盖板设置于所述外围区上，所述透光盖板、所述基板与所述外围区围成掩膜腔室，所述图形区位于所述掩膜腔室内。本发明能够显著改善掩膜版质量，提高掩膜版的使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 掩膜版 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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