[发明专利]一种测量真空度的装置与方法在审
| 申请号： | 201910441710.0 | 申请日： | 2019-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN110231120A | 公开（公告）日： | 2019-09-13 |
| 发明（设计）人： | 王广才 | 申请（专利权）人： | 南开大学 |
| 主分类号： | G01L21/00 | 分类号： | G01L21/00 |
| 代理公司： | 北京清源汇知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11644 | 代理人： | 窦晓慧;冯德魁 |
| 地址： | 300071*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种测量真空度的装置与一种测量真空度的方法，所述装置包括：电源、电流计、电极、半导体薄膜材料和衬底；所述电源的正负极通过导线连接所述电极；在所述电源与所述电极之间安装有所述电流计；所述电极连接所述半导体薄膜材料；所述半导体薄膜材料沉积在所述衬底上。本申请的装置通过电源提供的电压与电流计测量得到的电流可以获得半导体薄膜材料的电阻，本申请的测量真空度的装置中的半导体薄膜材料的电阻与该装置所处的真空度呈现准线性关系，从而可以通过测量半导体薄膜材料的电阻而测量较大范围的真空度，以解决现有技术中的同一种测量装置或同一种测量方法无法同时测量高真空度与低真空度的缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体薄膜材料 测量真空 电流计 电极 测量 电阻 电源 衬底 申请 测量半导体 准线性关系 薄膜材料 测量装置 导线连接 低真空度 电极连接 电源提供 高真空度 正负极 沉积 | ||
【主权项】：
1.一种测量真空度的装置，其特征在于，包括：电源、电流计、电极、半导体薄膜材料和衬底；所述电源的正负极通过导线连接所述电极；在所述电源与所述电极之间安装有所述电流计；所述电极连接所述半导体薄膜材料；所述半导体薄膜材料沉积在所述衬底上。
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