[发明专利]LED外延结构及其制作方法在审
| 申请号： | 201910444061.X | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN110148656A | 公开（公告）日： | 2019-08-20 |
| 发明（设计）人： | 曾颀尧;纪秉夆;汪琼;邢琨;冷鑫钰;陈柏松 | 申请（专利权）人： | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/06;H01L33/12 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 熊文杰;李双皓 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请涉及一种LED外延结构及其制作方法。LED外延结构包括N型半导体层、多量子阱层和多层结构层。多层结构层设置于多量子阱层背离N型半导体层的表面。多层结构层包括多个电子阻挡层和多个P型半导体层，电子阻挡层与P型半导体层交替层叠设置。P型半导体层用于提供空穴。一方面，相较于现有技术中的电子阻挡层，多层结构层中的电子阻挡层的厚度更薄，P型半导体层的空穴更容易穿过电子阻挡层注入多量子阱层，提升了空穴的注入效应。另一方面，多层P型半导体层穿插设置于多层电子阻挡层之间，可以增大空穴的浓度。空穴的浓度增大，进一步提升空穴的注入效应。 | ||
| 搜索关键词： | 空穴 电子阻挡层 多层结构层 多量子阱层 多层 穿插设置 交替层叠 浓度增大 制作 背离 穿过 申请 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延结构，其特征在于，包括：N型半导体层(200)，设置于衬底(100)的一侧；多量子阱层(300)，设置于所述N型半导体层(200)背离所述衬底(100)的一侧；多层结构层(400)，设置于所述多量子阱层(300)背离所述N型半导体层(200)的表面，所述多层结构层(400)包括多个电子阻挡层(410)和多个P型半导体层(420)，所述电子阻挡层(410)与所述P型半导体层(420)交替层叠设置。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于芜湖德豪润达光电科技有限公司，未经芜湖德豪润达光电科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910444061.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：微型LED芯片巨量转移方法
- 下一篇：带有纳米颗粒涂层的LED芯片及制造方法
