[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
申请号: | 201910444132.6 | 申请日: | 2019-05-27 |
公开(公告)号: | CN110911415B | 公开(公告)日: | 2023-08-08 |
发明(设计)人: | 李南宰 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | H10B43/30 | 分类号: | H10B43/30;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/27;H01L21/768 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 刘久亮;黄纶伟 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 半导体装置及其制造方法。一种制造半导体装置的方法包括以下步骤:形成穿过围绕沟道结构的层叠结构的多个孔;以及通过所述孔替换层叠结构的一些材料。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
暂无信息
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