[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201910444132.6 申请日: 2019-05-27
公开(公告)号: CN110911415B 公开(公告)日: 2023-08-08
发明(设计)人: 李南宰 申请(专利权)人: 爱思开海力士有限公司
主分类号: H10B43/30 分类号: H10B43/30;H10B43/40;H10B43/50;H10B43/27;H01L21/768
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 刘久亮;黄纶伟
地址: 韩国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 半导体装置及其制造方法。一种制造半导体装置的方法包括以下步骤:形成穿过围绕沟道结构的层叠结构的多个孔;以及通过所述孔替换层叠结构的一些材料。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
暂无信息
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