[发明专利]一种电池制备方法、电池、电池组件及太阳能供电站有效
申请号: | 201910444279.5 | 申请日: | 2019-05-27 |
公开(公告)号: | CN110212060B | 公开(公告)日: | 2021-12-10 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 苏州联诺太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/20 | 分类号: | H01L31/20;H01L31/02;H01L31/0216;H01L31/068 |
代理公司: | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人: | 郝彩华 |
地址: | 215000 江苏省苏州*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种电池制备方法、电池、电池组组件及太阳能供电站,电池为多层结构,电池包括单晶硅基底、本征非晶硅层、p型非晶层、n型非晶硅层、透明导电层以及设置在透明导电层上的栅电极,在单晶硅基底、本征非晶硅层、p型非晶层、n型非晶硅层、透明导电层以及栅电极各层中的至少一层上沉积额外的薄膜层。该电池制备方法是在电池制备过程中,通过在形成异质结电池的单晶硅基底、本征非晶硅层、p型非晶层、n型非晶硅层、透明导电层以及栅电极各层中的至少一层上沉积额外的薄膜层,通过沉积的薄膜层可对异质结电池的该层结构进行保护,并改善异质结电池的钝化效果、降低接触电阻,从而提升电池的光电转化效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 电池 制备 方法 组件 太阳能 供电站 | ||
【主权项】:
1.一种电池制备方法,电池为多层结构,所述电池包括单晶硅基底、本征非晶硅层、p型非晶层、n型非晶硅层、透明导电层以及设置在所述透明导电层上的栅电极,其特征在于:在所述单晶硅基底、所述本征非晶硅层、所述p型非晶层、所述n型非晶硅层、所述透明导电层以及所述栅电极各层中的至少一层上沉积额外的薄膜层。
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H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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