[发明专利]发光二极管装置在审
| 申请号： | 201910445307.5 | 申请日： | 2019-05-27 |
| 公开（公告）号： | CN110571324A | 公开（公告）日： | 2019-12-13 |
| 发明（设计）人： | 李东国;李大荣;金文燮;安成真;李承桓;任桐均;张牛锡 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/50 | 分类号： | H01L33/50;H01L33/44;H01L33/52 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 提供一种发光二极管装置。该发光二极管装置包括波长转换层、发光二极管层、光透射层和护套层。波长转换层具有第一折射率。发光二极管层包括设置在波长转换层上的基层以及设置在基层上的发光结构。光透射层设置在波长转换层上，围绕发光二极管层的侧壁并与发光二极管层的侧壁接触，并具有第二折射率。护套层设置为覆盖发光二极管层和光透射层，并且具有小于第二折射率的第三折射率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管层 波长转换层 折射率 光透射层 发光二极管装置 护套层 侧壁接触 发光结构 侧壁 基层 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管装置，包括：/n波长转换层，其具有第一折射率；/n发光二极管层，其包括基层和发光结构，所述基层设置在所述波长转换层上，所述发光结构设置在所述基层上；/n光透射层，其设置在所述波长转换层上，围绕所述发光二极管层的侧壁并与所述发光二极管层的侧壁接触，并且具有第二折射率；以及/n护套层，其设置为覆盖所述发光二极管层和所述光透射层，并且具有小于所述第二折射率的第三折射率。/n
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