[发明专利]对半导体制造腔室中的易损件的剩余寿命的估计有效
| 申请号： | 201910445940.4 | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN110349827B | 公开（公告）日： | 2023-08-15 |
| 发明（设计）人： | 理查德·艾伦·戈特舍 | 申请（专利权）人： | 朗姆研究公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;H01L21/67;C23C16/50;C23C16/52;G01N3/56 |
| 代理公司： | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人： | 樊英如;李献忠 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在用等离子体处理半导体衬底的腔室内使用的易损件，所述易损件包括主体和触发特征。所述主体具有配置为在腔室中的处理期间暴露于等离子体的表面，所述触发特征在主体中一体形成。所述触发特征包括空隙，所述空隙位于主体的表面之下，其中所述空隙配置为当所述表面因暴露于等离子体一段时间而被腐蚀时变得可见。所述空隙变得可见是主体的表面上的可识别的特征，显示了易损件的磨损程度，磨损程度与易损件的剩余处理时间的量有关。 | ||
| 搜索关键词： | 对半 导体 制造 中的 易损 剩余 寿命 估计 | ||
【主权项】：
1.一种在用等离子体处理半导体衬底的腔室内使用的易损件，所述易损件包括：主体，其具有配置为在所述腔室中的处理期间暴露于等离子体的表面；和在所述主体中一体形成的触发特征，所述触发特征包括空隙，所述空隙位于所述主体的表面之下，其中所述空隙配置为当所述表面因暴露于等离子体一段时间而被腐蚀时变得可见，所述空隙变得可见是所述主体的表面上的可识别的特征，显示了所述易损件的磨损程度，磨损程度与所述易损件的剩余处理时间的量有关。
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