[发明专利]半导体器件的形成方法有效
| 申请号： | 201910450593.4 | 申请日： | 2019-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN110085516B | 公开（公告）日： | 2022-03-18 |
| 发明（设计）人： | 田志;李娟娟;陈昊瑜;邵华 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201315*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体器件的形成方法，包括：提供衬底，所述衬底包括；在所述衬底上形成氧化层和浮栅层；刻蚀所述浮栅层、所述氧化层和所述衬底形成浅沟槽隔离结构；刻蚀所述浅沟槽隔离结构的边缘部分；在剩余的所述浅沟槽隔离结构上形成ONO层；在所述ONO层上形成控制栅层。在本发明提供的半导体器件的形成方法中，形成的ONO层具有台阶，但是台阶的垂直部分与浮栅层中间具有一定厚度的浅沟槽隔离结构，因此台阶的垂直部分不具有电容值，因此也不会影响到实际的ONO层的电容值。这种形成方法中，提高了测得的实际ONO值准确度，从而提高了ONO厚度的测量的准确度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成氧化层和浮栅层；刻蚀所述浮栅层、所述氧化层和所述衬底形成浅沟槽隔离结构；在所述浅沟槽隔离结构上形成ONO层；在所述ONO层上形成控制栅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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