[发明专利]半导体装置及其熔断方法有效
| 申请号： | 201910454213.4 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110556358B | 公开（公告）日： | 2022-08-05 |
| 发明（设计）人： | 张盟昇;杨耀仁 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/525 | 分类号： | H01L23/525;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例可以提供金属熔丝结构。该金属熔丝结构可以包括第一熔丝元件和第二熔丝元件。第二熔丝元件可以与第一熔丝元件相邻长度L。第二熔丝元件可以与第一熔丝元件间隔开宽度W。根据本发明的实施例，提供了半导体装置和半导体装置的熔断方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 熔断 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：/n第一熔丝元件；以及/n第二熔丝元件，其中，所述第二熔丝元件与所述第一熔丝元件相邻长度L，并且其中，所述第二熔丝元件与所述第一熔丝元件间隔开宽度W。/n
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