[发明专利]发光组件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910454453.4 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110581207A | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 石崎顺也 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11440 北京京万通知识产权代理有限公司 | 代理人： | 许天易 |
| 地址： | 日本东京都千*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种发光组件，包含：第一区域，具有第二半导体层、活性层、第一半导体层及与第一半导体层相接的第一电极；第二区域，具有第二半导体层、活性层及第一半导体层；第三区域，以包围第二区域的方式使至少第一半导体层及活性层除去且将第一区域与第二区域分离；第二电极，在遍及第二区域的顶部、第二区域的侧面部及第三区域的至少一部分而包覆的同时，在第三区域与第二半导体层及窗层兼支承基板相接，其中第三区域中的第二电极的覆膜面积为300μm | ||
| 搜索关键词： | 半导体层 第二区域 活性层 第二电极 第一区域 第一电极 发光组件 支承基板 包覆的 侧面部 导体层 窗层 覆膜 包围 | ||
【主权项】：
1.一种发光组件，包括窗层兼支承基板及发光层部，所述发光层部设置在所述窗层兼支承基板上，所述发光层部从所述窗层兼支承基板侧而依序包含第二导电型的第二半导体层、活性层及第一导电型的第一半导体层，所述发光组件包含：/n第一区域，具有所述第二半导体层、所述活性层、所述第一半导体层及与所述第一半导体层相接的第一电极；/n第二区域，具有所述第二半导体层、所述活性层及所述第一半导体层；/n第三区域，以包围所述第二区域的方式使至少所述第一半导体层及所述活性层除去，且将所述第一区域与所述第二区域分离；/n第二电极，在遍及所述第二区域的顶部、所述第二区域的侧面部及所述第三区域的至少一部分而包覆的同时，在所述第三区域与所述第二半导体层及所述窗层兼支承基板相接，/n其中所述第三区域中的所述第二电极的覆膜面积为300μm
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