[发明专利]接触场板蚀刻的组合蚀刻停止层、集成芯片及其形成方法在审
| 申请号： | 201910454866.2 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN111129123A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 卢卉庭;王培伦;钟于彰 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明涉及集成芯片。在一些实施例中，集成芯片具有在衬底上方设置在源极区域和漏极区域之间的栅极结构和从栅极结构上方横向地延伸至栅极结构和漏极区域之间的介电层。具有多种不同介电材料的组合蚀刻停止层堆叠在介电层上方。接触蚀刻停止层直接接触组合蚀刻停止层的上表面和侧壁。通过第一层间介电(ILD)层横向围绕场板，并且场板从第一ILD层的顶部、延伸穿过接触蚀刻停止层并且进入组合蚀刻停止层中。本发明的实施例还提供了接触场板蚀刻的组合蚀刻停止层和集成芯片的形成方法。 | ||
| 搜索关键词： | 接触 蚀刻 组合 停止 集成 芯片 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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