[发明专利]用于电连接堆叠式晶体管的源极/漏极区域的互连技术在审
| 申请号： | 201910457257.2 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110660777A | 公开（公告）日： | 2020-01-07 |
| 发明（设计）人： | A·D·利拉克;G·杜威;C-Y·黄;C·杰泽斯基;E·曼内巴赫;R·梅汉德鲁;P·莫罗;A·S·默西;A·潘;W·拉赫马迪 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L27/088 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 张伟;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 堆叠式晶体管结构在上晶体管和下晶体管的源极/漏极区域之间具有导电互连。在一些实施例中，互连至少部分地由沉积在上晶体管的源极/漏极区域中的高掺杂外延材料提供。在这种情况下，从上晶体管的沟道区域的半导体材料的暴露部分或与上晶体管的沟道区域相邻的半导体材料的暴露部分施加外延材料，并且该外延材料向下延伸到凹陷部中，该凹陷部暴露下晶体管的源极/漏极接触部结构。外延源极/漏极材料直接接触下晶体管的源极/漏极接触部结构，以提供互连。在其他实施例中，仍然从沟道区域的暴露半导体材料或邻近沟道区域的暴露半导体材料施加外延材料且该外延材料向下延伸到凹陷部中，但无需接触下接触部结构。相反，含金属的接触部结构穿过上源极/漏极区域的外延材料并接触下晶体管的源极/漏极接触部结构。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体管 外延材料 半导体材料 源极/漏极 沟道区域 凹陷部 暴露 源极/漏极区域 向下延伸 互连 施加 晶体管结构 导电互连 漏极区域 下接触部 堆叠式 高掺杂 沉积 邻近 穿过 金属 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路结构，包括：/n第一晶体管器件层，其包括第一栅极结构、与所述第一栅极结构相邻并且包括第一半导体材料的第一源极或漏极区域、以及在所述第一源极或漏极区域上的接触部结构；以及/n第二晶体管器件层，其包括第二栅极结构、以及与所述第二栅极结构相邻并包括第二半导体材料的第二源极或漏极区域；并且/n其中，所述第一晶体管器件层和所述第二晶体管器件层以垂直堆叠配置进行布置，并且所述第二源极或漏极区域的所述第二半导体材料向下延伸以接触所述第一源极或漏极区域上的所述接触部结构。/n
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