[发明专利]一种集成金属氧化物半导体的混合PiN肖特基二极管有效
| 申请号： | 201910459108.X | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110212021B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | 宋庆文;张玉明;汤晓燕;袁昊;张艺蒙;王栋 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/872 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明公开了一种集成金属氧化物半导体的混合PiN肖特基二极管，包括：N |
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| 搜索关键词： | 一种 集成 金属 氧化物 半导体 混合 pin 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种集成金属氧化物半导体的混合PiN肖特基二极管，其特征在于，包括：N+衬底层(1)；漂移层(2)，位于所述N+衬底层(1)上，所述漂移层(2)的表面至少包括两个沟槽(3)及处于相邻两个所述沟槽(3)之间的一个凸起结构(4)；P型区，包括：沟槽底部P型区(5)和沟槽侧壁P型区(6)，其中，所述沟槽侧壁P型区(6)的第一侧边与所述沟槽(3)的第一侧壁、所述沟槽底部P型区(5)的第一侧边相互贴合，所述沟槽底部P型区(5)的顶端、所述沟槽侧壁P型区(6)的顶端分别与所述沟槽(3)的底部、所述凸起结构(4)的底部相互贴合；二氧化硅层(10)，包括：纵向二氧化硅层和横向二氧化硅层，所述横向二氧化硅层设置于所述沟槽(3)上，且与所述沟槽(3)的第二侧壁相互贴合，所述纵向二氧化硅层设置于所述横向二氧化硅层上，且所述纵向二氧化硅层与所述沟槽(3)的第二侧壁相互贴合；金属层，位于所述漂移层(2)的表面、所述P型区、所述纵向二氧化硅层、所述横向二氧化硅层上，且一部分所述金属层与所述二氧化硅层(10)、所述漂移层(2)的表面形成金属氧化物半导体；金属区域(9)，位于所述金属层的表面。
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