[发明专利]一种沟槽结构结势垒肖特基二极管在审
| 申请号： | 201910459140.8 | 申请日： | 2019-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN110212022A | 公开（公告）日： | 2019-09-06 |
| 发明（设计）人： | 张玉明;宋庆文;汤晓燕;袁昊;张艺蒙;范鑫;何晓宁 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/47;H01L29/872 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种沟槽结构结势垒肖特基二极管，自上而下依次包括阳极电极层、隔离介质层、N‑外延层、N+衬底层和阴极电极层，其中，在N‑外延层的上表面开设有多个沟槽结构，在沟槽结构的内部形成有P型离子注入区；相邻沟槽结构的间距从N‑外延层的上表面中心至边缘减小，且多个P型离子注入区的形状尺寸均相同。本发明的沟槽结构结势垒肖特基二极管相邻沟槽结构的间距从中心至边缘呈减小趋势，从而在保证反向漏电流的前提下，改善了器件正向工作时的导通电阻特性，提高了器件的性能和可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 沟槽结构 结势垒肖特基二极管 外延层 相邻沟槽 减小 反向漏电流 隔离介质层 上表面中心 阳极电极层 阴极电极层 导通电阻 衬底层 上表面 正向 保证 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽结构结势垒肖特基二极管，其特征在于，自上而下依次包括阳极电极层(1)、隔离介质层(2)、N‑外延层(3)、N+衬底层(4)和阴极电极层(5)，其中，在所述N‑外延层(3)的上表面开设有多个沟槽结构(6)，在所述沟槽结构的内部形成有P型离子注入区(7)；相邻所述沟槽结构(6)的间距从所述N‑外延层(3)的上表面中心至边缘呈减小趋势，且多个所述P型离子注入区(7)的形状尺寸均相同。
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