[发明专利]缺陷定位系统及方法在审
申请号: | 201910460972.1 | 申请日: | 2019-05-29 |
公开(公告)号: | CN110132995A | 公开(公告)日: | 2019-08-16 |
发明(设计)人: | 于洋;黄仁德;方桂芹 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | G01N21/95 | 分类号: | G01N21/95 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 刘艳;吴敏 |
地址: | 223302 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明提供一种缺陷定位系统和缺陷定位方法,所述缺陷定位系统包括:第一缺陷定位模块,用于向晶片表面发射检测光束、并根据所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置;以及第二缺陷定位模块,用于根据所述第一缺陷定位模块确定的所述一个或多个缺陷的第一位置,对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷进行显微成像,并根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正,得到所述一个或多个缺陷的第二位置。本发明实施例的缺陷定位系统和缺陷定位方法能够在提高缺陷定位的准确率的同时,大幅度地提高缺陷位置的检测效率。 | ||
搜索关键词: | 缺陷定位系统 缺陷定位模块 第一位置 缺陷定位 显微成像 第二位置 发射检测 检测光束 晶片表面 缺陷位置 信号确定 散射 准确率 晶片 反射 校正 检测 | ||
【主权项】:
1.一种缺陷定位系统,其特征在于,包括:第一缺陷定位模块,用于向晶片表面发射检测光束、并根据所述晶片散射和/或反射所述检测光束形成的光信号确定所述晶片中是否存在缺陷、以及所述晶片中存在的一个或多个缺陷的第一位置;以及第二缺陷定位模块,用于根据所述第一缺陷定位模块确定的所述一个或多个缺陷的第一位置,对所述一个或多个缺陷中的至少一个缺陷进行显微成像,并根据所述至少一个缺陷的显微成像结果对所述一个或多个缺陷的第一位置进行校正,得到所述一个或多个缺陷的第二位置。
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